壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現對輸出頻率的調整,簡稱為VCO。壓控振蕩器內部電路是由變容二極管和石英晶體振蕩器電路組成的。變容二極管是串聯在頻率控制回路當中,通過改變加載在變容二極管上的電壓來調整石英振蕩器的振蕩頻率,實現對輸出頻率的微調。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現微調,通過調整使輸出頻率達到*理想狀態。由于電壓控制腳是一個輸入腳,很容易帶入其他雜散信號,因此,在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應用在工業和電信領域。
壓控晶振
SMD 14X9MM
VCXO
一、壓控晶振 技術規格
指標參數
參數值
備注
頻率范圍
5-300MHZ
可定制
輸出波形
Sine
方波
PECL
輸出
輸出幅度
0-7dBm
標準
標準
可定制
特性
輸出負載
50Ω
15pF
/
諧波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
雜散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
溫度特性
±25ppm
@25℃
溫度范圍
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
頻率
相位噪聲
穩定
@10Hz
≤-65dBc/Hz
性
@100Hz
≤-95dBc/Hz
@1KHz
≤-122dBc/Hz
@122.88MHz
@10KHz
≤-138dBc/Hz
@100KHz
≤-142dBc/Hz
頻率
調節方式
電壓調節
調節
壓控電壓范圍
按照客戶要求
@電壓調節
頻率調節范圍
±50-±150ppm
可定制
線性度
±1%/±3%/±5%
Max
壓控斜率
正斜率
電源
工作電壓
3.3V / 5V
輸入
工作電流
50mA Max
@122.88MHz
儲存溫度
-55 ﹢125 ℃
壓控晶振
DIP 21X13MM
VCXO
一、壓控晶振 技術規格
指標參數
參數值
備注
頻率范圍
5-300MHZ
可定制
輸出波形
Sine
TTL
HCMOS
輸出
輸出幅度
0-7dBm
標準
標準
可定制
特性
輸出負載
50Ω
15pF
15pF
諧波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
雜散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
溫度特性
±25ppm
@25℃
溫度范圍
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
頻率
相位噪聲
穩定
@10Hz
≤-120dBc/Hz
性
@100Hz
≤-125dBc/Hz
@1KHz
≤-130dBc/Hz
@32.768MHz
@10KHz
≤-140dBc/Hz
@100KHz
≤-145dBc/Hz
頻率
調節方式
電壓調節
調節
壓控電壓范圍
按照客戶要求
@電壓調節
頻率調節范圍
±50-±150ppm
可定制
線性度
±1%/±3%/±5%
Max
壓控斜率
正斜率
電源
工作電壓
3.3V / 5V
輸入
工作電流
15mA Max
@32.768MHz
儲存溫度
-55 ﹢125 ℃
電氣參數
1.頻率 (MHz)
2.輸出波形 (CMOS / SINE / TTL / LVDS)
3.輸出電平及負載
4.工作溫度范圍 (℃)
5. 頻率穩定度 (ppm)
6.壓控電壓范圍
7. 頻率調整度 (+/-ppm)
8.封裝
9.工作電壓 (Vdc)
10.輸出電流 (mA)
11.頻率誤差 (+/-ppm)
12.老化率 (Per Year)
注意:壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調電阻從外部穩壓源獲得穩定的調整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出,這個參考電壓更好。
產品詳情
簡單介紹:
壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現對輸出頻率的調整,簡稱為VCO。壓控晶振壓控振蕩器內部電路是由變容二極管和石英晶體振蕩器電路組成的。變容二極管是串聯在頻率控制回路當中,通過改變加載在變容二極管上的電壓來調整石英振蕩器的振蕩頻率,實現對輸出頻率的微調。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現微調,通過調整使輸出頻率達到*理想狀態。壓控晶振,壓控晶振,壓控晶振,壓控晶振.
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