產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:晶體振蕩器

  • 產(chǎn)品型號:HC-49S
  • 產(chǎn)品廠商:Ractron,Citizen,Cmac,NDK,Rakon,Raltron,TDK,Vectron
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
晶體振蕩器 有源晶振與無源晶振,石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用,是基于它的壓電效應(yīng):在晶片的兩個極上加一電場,會使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產(chǎn)生機(jī)械振動,同時機(jī)械變形振動又會產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時,機(jī)械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為,“壓電諧振”。
詳情介紹:
晶振 鐘振 晶體振蕩器
Crystal Oscillators 
晶振,晶體振蕩器

 

項目

Item

規(guī)格 Specification

1

標(biāo)稱頻率

Nominal Frequency

1-300.000MHz

2

   

Holder Type

HC-49S

3

振動模式

Oscillator Mode

三次泛音3rd overtone

4

調(diào)整頻差

Freq Stability (25)

±20ppm

5

工作溫度

Operating Temp Range

-20~+80

6

溫度頻差

Freq Stability vs Temp

±20ppm

7

負(fù)載電容

Load Capacitance

20pF±0.2 pF

8

諧振電阻

Equ Series Resistance

30Ω max

9

靜 電 容

Shunt Capacitance

7.0pF max

10

激勵功率

Drive Level

50μW in standard

11

絕緣電阻

Insulation Resistance

500MΩ at DC100V

12

年老化率

Aging Rate a Year

±3ppm

13

檢測儀器

Test Impedance Meter

S&A250B

14

印字形式

Marking

XX.XXX

15

存儲溫度

Storage Temp Range

-55~+125

16

存儲濕度

Storage Humidity Range

095 RH



一、石英晶體諧振器:

A、主要指標(biāo)
1.頻率 f        
2.頻率公差   
3.切型 AT  BT  SC      
4.泛音次數(shù)  基頻  三次泛音  五次泛音  七次泛音   
5.電阻  Rr  RL     
6.負(fù)載電容  CL
7.靜電容  Co   
8.動態(tài)電容 C1 
9.電容比 r =Co / C1  
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF ) 
11.Q值
12.DLD  
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性(F-T)

 

B、有源晶振與無源晶振
   石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用,是基于它的壓電效應(yīng):在晶片的兩個極上加一電場,
會使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產(chǎn)生機(jī)械振動,同時機(jī)械
變形振動又會產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時,機(jī)械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。


在電子學(xué)上,通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”(如有源音箱、有源濾波器等),
而僅由阻容元件組成的電路稱作“無源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號,自身無法振蕩起來,所以“無源晶振”這個說法并不準(zhǔn)確;有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,其中除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件,因此體積較大。


二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器

A、晶體振蕩器是一種時間/頻率器件,由晶體諧振器和振蕩電路組成。


B、晶體振蕩器的分類:

按照其功能類型可分為四種:
SPXO  簡單封裝晶體振蕩器
VCXO  電壓控制晶體振蕩器
TCXO  溫度控制晶體振蕩器 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
OCXO  恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器


C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達(dá)到的穩(wěn)定度:
                 SPXO       VCXO      TCXO         OCXO
 0 to 70℃      10 ppm     10 ppm    0.1 ppm     0.005 ppm
-20 to 70℃     25 ppm     25 ppm    0.3 ppm     0.01 ppm
-40 to 85℃     30 ppm     30 ppm    0.5 ppm     0.03 ppm
-55 to 125℃    50 ppm     50 ppm    1.0 ppm       N/A


工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應(yīng)用              振蕩器類型
±0.2ppm           電信傳輸設(shè)備的時鐘基準(zhǔn)    OCXO
±0.2~±0.5ppm  電信傳輸設(shè)備的Stratum 3時鐘基準(zhǔn)     OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5~±1.0ppm  無線電設(shè)備,E-911蜂窩電話定位       帶模擬集成電路的TCXO
±1.0~±2.5ppm  移動無線電設(shè)備(例如應(yīng)急通信設(shè)備)     帶模擬集成電路的TCXO
±2.5~±10ppm     移動電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
±10~±20ppm     傳真機(jī) TCXO,VCXO,SPXO   
    > ±20ppm   計算機(jī)時鐘信號源 SPXO/XO


D、晶體振蕩器主要技術(shù)指標(biāo):
1)標(biāo)稱頻率
2)中心頻率偏差
3)頻率調(diào)整范圍(機(jī)械或壓控)
4)工作溫度范圍
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗)
6)輸出波形(正弦波; 方波:上升/下降沿時間、占空比、高/低電平)
7)工作電流、功耗
8)電壓變化頻率穩(wěn)定度
9)負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度
10)溫度頻率穩(wěn)定度
11)負(fù)載能力
12)頻率老化(長期頻率穩(wěn)定度)
13)短期頻率穩(wěn)定度
14)相位噪聲
15)開機(jī)特性


E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器,沒有電壓控制和溫度補(bǔ)償,頻率溫度特性取決于晶體單元,
稱為SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator )或時鐘(Clock)。

F、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
2.間接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO

近年來,由于技術(shù)的發(fā)展,OCXO多采用功率器件直接加熱的方法,只有一些指標(biāo)要求很高的OCXO才使用恒溫槽。


H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)

1)標(biāo)稱頻率(Nominal frequency)
   振蕩器標(biāo)明的工作頻率。
2)中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
   在基準(zhǔn)點溫度環(huán)境(25 ± 2 ℃ )和中心控制電壓時,測得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。
3)頻率調(diào)諧范圍(Frequency adjustment range)
   用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
   注:調(diào)整的目的:
      1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
      2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
      調(diào)整的方式:
      3)調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
      4)可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
4)工作溫度范圍 (Operating temp. range)
  振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
  注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
      2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設(shè)置越高, 晶體成本上升越多。
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)
當(dāng)控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注:1)電壓范圍:用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V,  0.3~3.0V, 0~ 5V, 0.5~4.5V等。 
    2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
    3)極性:當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候,壓控極性為正極性,反之為負(fù)極性。
    4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的, 但實際上總會有所偏差, 這個偏差就是
       表征理想程度的壓控線性度, 通常用百分比表示。
    5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號, 或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時, 通常振蕩器可以自己給
       出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用, 這個精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。
6)輸出波形(Output waveform)    正弦: 負(fù)載能力
   方波: 上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。

注:常見輸出波形及輸出特性指標(biāo):
  1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonic attenuation)、
     雜波抑制(Noise attenuation )、負(fù)載(Load)、輸出幅度(Output level)。
  2)削峰正弦波(Clipping Sine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Output level)。
  3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。
     負(fù)載(Load)、占空比(Duty cycle)、上升/下降時間(Rise/fall time)、
     高低電平(“1” and “0” level)。
7)工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8)頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
   其它條件不變時,由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準(zhǔn)溫度時的頻率偏移。
9)負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
   其它條件不變時,由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負(fù)載條件時的頻率偏移。
10)電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
    其它條件不變時,由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。
11)老化率(長期頻率穩(wěn)定度)(Aging , long term stability)
    振蕩器頻率與時間之間的關(guān)系。
    注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的,可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。
       頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負(fù)。
       又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
12)短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
      振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。
    注:以秒為單位,又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。
13)相位噪聲(Phase noise)
    振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度,通常用相應(yīng)起伏功率譜密度SΨ(f) 表示,其中相位起伏函數(shù)為Ψ(f)=2πFt-2πF0t
    注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度,實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。
14)其他指標(biāo):功耗,開機(jī)特性,重現(xiàn)性,可工作溫度范圍,抗機(jī)械沖擊性能,抗電脈沖沖擊性能,存儲溫度范圍, 重力加速度頻率穩(wěn)定度,恒溫報警,三態(tài)控制.

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