產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:晶體振蕩器

  • 產(chǎn)品型號(hào):SMD 5.0X7.0mm
  • 產(chǎn)品廠商:Ractron,Citizen,Cmac,NDK,Rakon,Raltron,TDK,Vectron
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
晶體振蕩器有源晶振與無源晶振,石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用,是基于它的壓電效應(yīng):在晶片的兩個(gè)極上加一電場,會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時(shí),機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。
詳情介紹:
晶振 鐘振 晶體振蕩器  

Crystal Oscillators

Clock Oscillators   Simple Packaged Crystal Oscillators

Product Name

SPXO-RTSP 

1Frequency Rang

1-200MHz

2Standard Freq

2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz,

6.5MHz,6.72996MHz,8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288

MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,16.32MHz,16.368MHz ,

16.384MHz,16.8MHz,17MHz,18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,

19.8MHz,20MHz,20.46MHz,20.48MHz,20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,

26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,32MHz,32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,

38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,100MHz,120MHz,122.88MHz,140MHz

3Package Outline

1 SMD21*13*5 2 SMD14*9*6 3 SMD11*9*3 4 SMD9*7*3

5 SMD7*5*2 6 SMD5*3.2*1 7 SMD3*2.5*1 8 SMD2.5*2*1 9 DIP21*13*5 10 DIP18*12*5

11 DIP20*20*10  12 DIP36*27*16  13 DIP13*13*6  14 DIP18*11*9  15 DIP21*13*7 mm

4Freq Adjustment

1 Voltage trim  2 Mechanical trim  3 No adjustment

5Freq Tolerance

A±5ppm B±10ppm C±20ppm D±30ppm E±50ppm F±100ppm @25  

6Operating Temp

A 0-+50 B 0-+70 C -10-+70 D-20-+70 E-30-+75

F -30-+85 G -40-+85 H -55-+85 I -55-+105

7Freq Stability

A±5ppm B±10ppm C±15ppm D±20ppm E±25ppm

F±30ppm G±50ppm H ±100ppm 1ppb=1/1000ppm 1ppm=1/1000000

8Output Waveform

1 Sine 2 Hcmos 3 Clipped Sine 4 TTL 5 ACMOS 6 LV-PECL 7 LVDS

9Supply Voltage

A 1.8V B 2.6V C 2.8V D3.0V E 3.3V F 5.0V

10Current

10 mA-70mA

11Load Condition

1 15pf  2 20pf  3 30pf  4 40pf  5 50pf  6 10TTL 

12Duty Cycle

1 45/55%  2 40/60%

13Rise & Fall Time

1 15ns 15ns  2 10ns 10ns  3 8ns 8ns  4 6ns 6ns

14Ageing

±5ppm maximum per year,

15Storage Temp

A -40-+85 B -55-+95 C -55-+125

16Part Number

RTSP-10MHZ 53DGF2E123C   

SPXO,10MHZ,SMD7*5*2mm,No adjustment,Tolerance ±30ppm,-40-+85,

Stability±30ppm,HCMOS, 3.3V, 15pf, 40/60%, 8ns 8ns ,storage temperature -55-+125


一、石英晶體諧振器:
A、主要指標(biāo)
1.頻率 f        
2.頻率公差   
3.切型 AT  BT  SC      
4.泛音次數(shù)  基頻  三次泛音  五次泛音  七次泛音   
5.電阻  Rr  RL     
6.負(fù)載電容  CL
7.靜電容  Co   
8.動(dòng)態(tài)電容 C1 
9.電容比 r =Co / C1  
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF ) 
11.Q值
12.DLD  
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性(F-T)

B、有源晶振與無源晶振
   石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用,是基于它的壓電效應(yīng):在晶片的兩個(gè)極上加一電場,
會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),同時(shí)機(jī)械
變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時(shí),機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。

在電子學(xué)上,通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”(如有源音箱、有源濾波器等),
而僅由阻容元件組成的電路稱作“無源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振是有2個(gè)引腳的無極性元件,需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào),自身無法振蕩起來,所以“無源晶振”這個(gè)說法并不準(zhǔn)確;有源晶振有4只引腳,是一個(gè)完整的振蕩器,其中除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件,因此體積較大。

二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器
A、晶體振蕩器是一種時(shí)間/頻率器件,由晶體諧振器和振蕩電路組成。

B、晶體振蕩器的分類:

按照其功能類型可分為四種:
SPXO  簡單封裝晶體振蕩器
VCXO  電壓控制晶體振蕩器
TCXO  溫度控制晶體振蕩器 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
OCXO  恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器

C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達(dá)到的穩(wěn)定度:
                 SPXO       VCXO      TCXO         OCXO
 0 to 70℃      10 ppm     10 ppm    0.1 ppm     0.005 ppm
-20 to 70℃     25 ppm     25 ppm    0.3 ppm     0.01 ppm
-40 to 85℃     30 ppm     30 ppm    0.5 ppm     0.03 ppm
-55 to 125℃    50 ppm     50 ppm    1.0 ppm       N/A

工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應(yīng)用             振蕩器類型
±0.2ppm           電信傳輸設(shè)備的時(shí)鐘基準(zhǔn)           OCXO
±0.2~±0.5ppm 電信傳輸設(shè)備的Stratum 3時(shí)鐘基準(zhǔn)    OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5~±1.0ppm **無線電設(shè)備,E-911蜂窩電話定位 帶模擬集成電路的TCXO
±1.0~±2.5ppm 移動(dòng)無線電設(shè)備(例如應(yīng)急通信設(shè)備) 帶模擬集成電路的TCXO
±2.5~±10ppm     移動(dòng)電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
±10~±20ppm     傳真機(jī) TCXO,VCXO,SPXO   
    > ±20ppm   計(jì)算機(jī)時(shí)鐘信號(hào)源 SPXO/XO

D、晶體振蕩器主要技術(shù)指標(biāo):
1)標(biāo)稱頻率
2)中心頻率偏差
3)頻率調(diào)整范圍(機(jī)械或壓控)
4)工作溫度范圍
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗)
6)輸出波形(正弦波; 方波:上升/下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平)
7)工作電流、功耗
8)電壓變化頻率穩(wěn)定度
9)負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度
10)溫度頻率穩(wěn)定度
11)負(fù)載能力
12)頻率老化(長期頻率穩(wěn)定度)
13)短期頻率穩(wěn)定度
14)相位噪聲
15)開機(jī)特性

E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器,沒有電壓控制和溫度補(bǔ)償,頻率溫度特性取決于晶體單元,
稱為SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator )或時(shí)鐘(Clock)。

F、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
2.間接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來,由于技術(shù)的發(fā)展,OCXO多采用功率器件直接加熱的方法,只有一些指標(biāo)要求很高的OCXO才使用恒溫槽。

H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)

1)標(biāo)稱頻率(Nominal frequency)
   振蕩器標(biāo)明的工作頻率。
2)中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
   在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境(25 ± 2 ℃ )和中心控制電壓時(shí),測得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。
3)頻率調(diào)諧范圍(Frequency adjustment range)
   用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
   注:調(diào)整的目的:
      1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
      2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
      調(diào)整的方式:
      3)調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
      4)可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
4)工作溫度范圍 (Operating temp. range)
  振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號(hào)性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
  注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。
      2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高, 晶體成本上升越多。
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)
當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注:1)電壓范圍:用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V,  0.3~3.0V, 0~ 5V, 0.5~4.5V等。 
    2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
    3)極性:當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候,壓控極性為正極性,反之為負(fù)極性。
    4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的, 但實(shí)際上總會(huì)有所偏差, 這個(gè)偏差就是
       表征理想程度的壓控線性度, 通常用百分比表示。
    5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào), 或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí), 通常振蕩器可以自己給
       出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用, 這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。
6)輸出波形(Output waveform)    正弦: 負(fù)載能力
   方波: 上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。
注:常見輸出波形及輸出特性指標(biāo):
  1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonic attenuation)、
     雜波抑制(Noise attenuation )、負(fù)載(Load)、輸出幅度(Output level)。
  2)削峰正弦波(Clipping Sine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Output level)。
  3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。
     負(fù)載(Load)、占空比(Duty cycle)、上升/下降時(shí)間(Rise/fall time)、
     高低電平(“1” and “0” level)。
7)工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8)頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
   其它條件不變時(shí),由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。
9)負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
   其它條件不變時(shí),由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。
10)電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
    其它條件不變時(shí),由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。
11)老化率(長期頻率穩(wěn)定度)(Aging , long term stability)
    振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。
    注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的,可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來表示。
       頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。
       又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
12)短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
      振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。
    注:以秒為單位,又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。
13)相位噪聲(Phase noise)
    振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度,通常用相應(yīng)起伏功率譜密度SΨ(f) 表示,其中相位起伏函數(shù)為Ψ(f)=2πFt-2πF0t
    注:抖動(dòng)是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時(shí)域量度,實(shí)際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。
14)其他指標(biāo):功耗,開機(jī)特性,重現(xiàn)性,可工作溫度范圍,抗機(jī)械沖擊性能,抗電脈沖沖擊性能,存儲(chǔ)溫度范圍, 重力加速度頻率穩(wěn)定度,恒溫報(bào)警,三態(tài)控制.

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