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穿心電容與普通電容的區別

日期:2024-12-14 03:59
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摘要:穿心電容是一種低通EMI(抗電磁干擾)無源器件,可有效抑制傳輸信號線、電源線中的傳導干擾信號和輻射干擾信號。 穿心式電容自電感較普通電容小得多,故而自諧振頻率很高。同時,穿心式設計,也有效地防止了高頻信號從輸入端直接耦合到輸出端。這種低通高阻的組合,在1GHz頻率范圍內,提供了極好的抑制效果。 較簡單的穿心結構是由內外電極和陶瓷構成的一個(C型)或兩個電容(Pi型)。這種電容的容量可從10pF,工作電壓可達2000VDC。 管式穿心電容因為其同軸性,即使在10GHz頻率,也不會產生明顯的自諧振。穿心電容的...
穿電容是一種低通EMI(抗電磁干擾)無源器件,可有效抑制傳輸信號線、電源線中的傳導干擾信號和輻射干擾信號。
穿心式電容自電感較普通電容小得多,故而自諧振頻率很高。同時,穿心式設計,也有效地防止了高頻信號從輸入端直接耦合到輸出端。這種低通高阻的組合,在1GHz頻率范圍內,提供了極好的抑制效果。
簡單的穿心結構是由內外電極和陶瓷構成的一個(C型)或兩個電容(Pi型)。這種電容的容量可從10pF,工作電壓可達2000VDC。
管式穿心電容因為其同軸性,即使在10GHz頻率,也不會產生明顯的自諧振。穿心電容的介質為陶瓷介質,而陶瓷電容的容量會隨環境溫度變化而變化,這種容量變化會影響濾波器的濾波截止率。陶瓷電容的容量溫度變化率是由陶瓷介質本身決定的。因此,選擇適當的陶瓷介質非常重要。

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